Наименование прибора: 2SK1117

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 250 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог : IRFBC40A